TrendForce集邦咨詢進一步表示，首先，預期疫苗問世后疫情有所趨緩，進而帶動工業能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩；其次，隨著特斯拉（Tesla）Model 3電動車逆變器逐漸改采SiC器件制程后，第三代半導體于車用市場逐漸備受重視；最后，中國政府為提升半導體自主化，今年提出十四五計劃投入巨額人民幣擴大產能，上述都將成為推升2021年GaN及SiC等第三代半導體高速成長的動能。

電動車、工業及通訊需求回溫，帶動第三代半導體器件營收上揚

觀察各類第三代半導體器件，GaN器件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電（TSMC）、世界先進（VIS）等嘗試導入8英寸晶圓生產，然現行主力仍以6英寸為主。因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源傳輸等需求逐步提升，預期2021年通訊及功率器件營收分別為6.8億和6,100萬美元，年增30.8%及90.6%。

其中，GaN功率器件年增最高的主因是手機品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑借高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進。TrendForce集邦咨詢預期，GaN器件會持續滲透至手機與筆電配件，且年增率將在2022年達到最高峰，后續隨著廠商采用逐漸普及，成長動能將略為趨緩。

SiC器件部分，由于通訊及功率領域皆需使用該襯底，因而6英寸晶圓的供應量顯得吃緊，預估2021年SiC器件于功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。目前各大襯底商如科銳（CREE）、貳陸（II-VI）、意法半導體（STMicroelectronics）等已陸續開展8英寸襯底研制計劃，但仍有待2022年后才有望逐漸紓緩供給困境。