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                          1547871260484228.jpg       陜西半導體先導技術中心成立于2017年5月,為適應國家產業發展戰略需求,按企業化運營模式而成立的共性企業研發平臺。主要致力于加快半導體前沿關鍵技術研發創新,推動以先進半導體器件和第三代半導體為核心的產業創新,服務于中國先進半導體的技術創新和成果轉化。并建立半導體技術人才實習與培養的新一代體系,最終成為國家級半導體產業新技術和新工藝的推廣轉化基地。




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                          技術方向

                          ●  碳化硅產品技術:SiC JBS、SiC SBD、 SiC MOSFET等產品設計與關鍵工藝。

                            先進硅器件技術:先進硅功率器件、電源管理芯片、高密度、多結構的立體集成技術研究;進行傳感器網絡、微系統集成等方向的技術探索;開展新結構、新器件和新技術的市場化工作。

                          ●  超寬禁帶半導體技術:進行氧化鎵、金剛石半導體、石墨烯、AIN等化合物半導體、化合物集成電路等創新性科研成果的轉化。

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                          公司地址:陜西省西安市高新區錦業路125號西安半導體產業園A座2層 查看地圖

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